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随着半导体制造工艺逼近物理极限，单纯依靠缩小晶体管尺寸提升芯片性能的难度与成本急剧上升，封装技术作为连接芯片设计与终端应用的关键环节，其战略地位日益凸显。先进封装技术通过革新互联方式与集成方法，实现芯···

半导体材料的迭代升级始终驱动着电子产业的革新。继硅、锗为代表的第一代半导体，以及砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体之后，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为核心的第三代半导体材料（宽禁带半导体）凭借···

自集成电路问世以来，半导体制造工艺始终遵循摩尔定律的轨迹持续演进，特征尺寸从微米级逐步迈入纳米级乃至埃米级。当前，28-14nm工艺节点已趋于成熟，10nm工艺实现量产，7nm及以下先进节点成为研发焦···